Principios de análisis instrumental

602 Capítulo 23 Potenciometría <« TABLA 23.4 Características de los electrodos de membrana líquida < 1H+, 5 X 10 - 1 Li +, 8 X 10 - 2 Na +, 6 X 10 - 4 K+, 5 X 10- 2 Cs +, >1Mg2+, >1Ca2+, >1S? +, > 0.5 Sr 2 +, 1 X 10 - 2 Zn 2 + Hg 2 +y Ag+(envenenan electrodos a >10- 7 M), Fe 3 +(a >0.1 [Cd 2 +]), Pb2+ (a >[Cd 2+]), Cu 2 +(posible) 10 - 5 Pb 2 +;4 X 10 - 3 Hi +, H +,6 X 10 - 3 Sr2+;2 X 10 - 2 Fe2+;4 X 10 - 2 Cu 2+; 5 X 10 - 2 Ne +;0.2 NH 3 ;0.2 Na +;0.3 Tris +;0.3Li +;0.4 K+;0.7 Ba2+; LO Zn2+; LO Mi + Cantidad de interferente máxima permitida a [Cl - ]:OH - 80, Br - 3 X 10 - 3 , 1- 5 X 10- 7 , S 2 - 10- 6 , CN - 2 X 10 - 7 , NH 3 0.12, SzÜ 3 2 - 0.01 5 X 10 - 7 Cl0 4 - ; 5 X 10 - 6 1- ; 5 X 10 - 5 Cl0 3 - ; 5 X 10 - 4 CN-; 10- 3 Br - ; 10 - 3 N0 2 - ;5 X 10 - 3 N0 3 - ;3 X 10 - 3 HC0 3 - ,5 X 10 - 2 Cl - ;8 X 10 - 2 H 2 P0 4- , HPO/-, PO/ -; 0.20Ac - ; 0.6F - ; LOSO/ - 10 - 7 Cl0 4 - ; 5 X 10 - 6 1- ; 5 X 10- 5 Cl0 3 - ; 10 - 4 CN- ; 7 X 10 - 4 Br - ; 10 - 3 HS-; 10- 2 HC0 3 - , 2 X 10 - 2 CO/ - ; 3 X 10 - 2 Cl - ; 5 X 10 - 2 H2P04- , HPO/ - ; P0 4 3 -; 0.20Ac- ; 0.6F -; LOSO/ - 1.4 X 10- 6 a 3.6 X 10 - 6 7 X 10 - 1 salicilato,2 x 10- 3 1-,10 - 1 Br - ,3 X 10 - 1 Cl0 3 - ,2 x 10 - 1 acetato, 2 X 10 - 1 HC0 3 - ,2 X 10 - 1 N0 3 - ,2 X 10 - 1 S0/-,1 X 10 - 1 Cl - , 1 X 10- 1 Cl0 4 -, 10°a 7 X 10- 6 2 X 10 - 3 1- ;2 X 10 - 2 Cl0 3 -;4 X 10 - 2 CN - ,Br-;5 X 10- 2 N0 2 - ,N0 3 - ;2HC0 3 - , C0 3 2 - ; CC H2P04- , HPO/-, POl - , OAc - , F-, SO/ - Durezadelagua 10- 3 a 6 X 10 - 6 3 X 10 - 5 Cu2+, zn2+;10 - 4 Ni2+;4 X 10 - 4 Sr2+;6 X 10 - 5 Fe2+;6 X 10 - 4 Ba 2 +; (Ca2+ +Mi+) 3 X 10- 2 Na +;0.1K+ Todos los electrodos son del tipo de membrana de plástico tDel catálogo de productos, Boston, MA: Thermo Orion, 2006. Con autorización de Thcrmo Electron Corp., Waltham, MA. *De los manuales de instrucciones para los productos, Boston, MA: Thermo Orion, 2003. Con autorización de Thermo Electron Corp., Waltham, MA. 23E TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO SELECTIVOS DE IONES En la sección 2C.3 (figura 2.19), se describe el transistor semicon– ductor de efecto de campo hecho de óxido metálico, más conocido como MOSFET (por sus siglas en inglés), que es muy utilizado en computadoras y otros circuitos electrónicos como interruptor para controlar el flujo de corriente en los circuitos. Uno de los problemas en el empleo de este tipo de dispositivo en los circuitos electrónicos es su elevada sensibilidad a las impurezas iónicas en su superficie, por lo que la industria electrónica ha destinado una gran cantidad de dinero y esfuerzo para reducir al mínimo o elimi– nar dicha sensibilidad con el fin de producir transistores estables. A través de las décadas pasadas, se ha logrado explotar mucho de la sensibilidad de los MOSFET ante las impurezas iónicas para la determinación potenciométrica selectiva de varios iones. Estos estudios han originado el desarrollo de cierto número de diferentes transistores de efecto de campo selectivo de iones (ISFET, por sus siglas en inglés). La teoría de su sensibilidad selectiva a ciertos iones ya es muy conocida y se describe en la sección siguiente. t 7 23E.1 Mecanismo del comportamiento selectivo de iones del ISFET Un transistor de efecto de campo selectivo de iones (ISFET) es muy similar en construcción y funcionamiento a un transistor semiconductor de óxido metálico de efecto de campo (MOSFET, t 7 Para una revisión de los ISFET, véase P. Bergveld, Sens. Actuators B, 2003, 88, p. 1, DOI: 10.1016/S0925-4005(02)00301 -5. Una introducción a la teoría y operación de los ISFET se encuentra en ). )anata, Principies ofChemical Sensors, pp. 125-1 41, New York: Plenum, 1989.